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Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen (en Alemán)
Rajesh T. V.
(Autor)
·
Jagadeesh Chandra S. V.
(Autor)
·
V. V. Ramana Ch
(Autor)
·
Verlag Unser Wissen
· Tapa Blanda
Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen (en Alemán) - T. V., Rajesh ; S. V., Jagadeesh Chandra ; Ch, V. V. Ramana
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Reseña del libro "Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen (en Alemán)"
Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Hafniumoxid (HfO2) ist ein vielversprechender Kandidat für die nächste Generation von Gate-Dielektrika, da es eine relativ hohe Dielektrizitätskonstante 25, eine gro e Bandlücke, gute thermische Stabilität und eine relativ hohe freie Reaktionsenergie mit dem Substratmaterial aufweist. In jüngster Zeit haben elektronische Bauelemente auf Ge-Basis wieder beträchtliche Aufmerksamkeit erlangt, und Ge kann Lösungen für wichtige Probleme bieten, mit denen die Si-Technologie für fortschrittliche CMOS-Bauelemente konfrontiert ist; dies ist hauptsächlich auf die höhere Mobilität sowohl der Löcher als auch der Elektronen im Ge-Substrat zurückzuführen. Daher ist dieses Buch für die Leser nützlich, um einige wichtige Themen der Ge-Technologie für Hochfrequenz-Bauelemente zu kennen.
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Todos los libros de nuestro catálogo son Originales.
El libro está escrito en Alemán.
La encuadernación de esta edición es Tapa Blanda.
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