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portada Disruptive Wide Bandgap Semiconductors, Related Technologies, and Their Applications (en Inglés)
Formato
Libro Físico
Editorial
Idioma
Inglés
N° páginas
154
Encuadernación
Tapa Dura
Dimensiones
24.4 x 17.0 x 1.1 cm
Peso
0.45 kg.
ISBN13
9781789236682

Disruptive Wide Bandgap Semiconductors, Related Technologies, and Their Applications (en Inglés)

Sharma, Yogesh Kumar (Autor) · Intechopen · Tapa Dura

Disruptive Wide Bandgap Semiconductors, Related Technologies, and Their Applications (en Inglés) - Sharma, Yogesh Kumar

Libro Nuevo

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  • Estado: Nuevo
Origen: Estados Unidos (Costos de importación incluídos en el precio)
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Reseña del libro "Disruptive Wide Bandgap Semiconductors, Related Technologies, and Their Applications (en Inglés)"

SiC and GaN devices have been around for some time. The first dedicated international conference on SiC and related devices, "ICSCRM," was held in Washington, DC, in 1987. But only recently, the commercialization of SiC and GaN devices has happened. Due to its material properties, Si as a semiconductor has limitations in high-temperature, high-voltage, and high-frequency regimes. With the help of SiC and GaN devices, it is possible to realize more efficient power systems. Devices manufactured from SiC and GaN have already been impacting different areas with their ability to outperform Si devices. Some of the examples are the telecommunications, automotive/locomotive, power, and renewable energy industries. To achieve the carbon emission targets set by different countries, it is inevitable to use these new technologies. This book attempts to cover all the important facets related to wide bandgap semiconductor technology, including new challenges posed by it. This book is intended for graduate students, researchers, engineers, and technology experts who have been working in the exciting fields of SiC and GaN power devices.

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El libro está escrito en Inglés.
La encuadernación de esta edición es Tapa Dura.

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